phase change RAMP램은 '게르마늄 안티몬 텔룰라이드'라는 물질이 일정 온도에서 비결정질에서 결정질로 바뀌는 특성을 이용해 개발된 메모리다. F램(강유전체메모리), M램(강자성메모리) 등과 함께 대표적인 신개념 차세대 비휘발성 메모리 반도체로 꼽힌다. 전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 플래시 메모리의 장점과 빠른 처리 속도를 자랑하는 D램의 장점을 모두 갖고 있다. 휴대전화에 P램을 탑재하면 종전에 비해 예비동작 없이 바로 데이터를 읽고，배터리 사용시간을 20% 이상 늘릴 수 있다. 2004년 8월 삼성전자가 세계 최초로 64메가바이트 P램을 개발했고 2005년에는 256메가 용량의 제품을 사업화한 데 이어 2009년 9월에는 512메가 용량의 제품을 내놓았다. 삼성전자에서 최초로 2010년부터 상반기부터 휴대폰용 P램을 생산하고 있다.