Charge Trap Flash CTF 기술은 1971년 비휘발성 메모리를 처음 개발한 이후 35년간 적용돼온 이른바 '플로팅 게이트(Floating Gate)' 기술의 한계를 극복한 혁신적인 기술이다. 통상 전기가 흐를 수 있는 도체에 정보를 저장하는 반도체와 달리 삼성전자가 자체 개발한 부도체 신물질인 '타노스'에 전기를 저장토록 해 반도체 소자의 크기와 부피를 획기적으로 줄인 제품이다. 기존 플로팅 게이트 대비 셀 공정 스텝 수를 20% 줄일 수 있다. 컨트롤 게이트 두께는 플로팅게이트의 5분의 1 수준이고, 저장체 두께는 10분의 1로 줄일 수 있다.