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고전자이동도 트랜지스터(HEMT)
등록일 : 2013-02-08
 
high electron mobility transistor 전자 이동도가 실리콘보다 10배 이상 빨라 고속 동작에 적합한 트랜지스터. 갈륨비소(GaAs), 인듐인(InP) 등의 화합물 반도체 구조를 이종접합해 그 접합면에서 전자가 고속으로 이동하는 성질을 이용한다. 빠른 전송 속도 때문에 밀리미터파 대역(30㎓~300㎓)에서 주된 소자로 사용되고 있으면 향후 ㎔급까지 사용될 것으로 기대된다. =>갈륨비소계 나노트랜지스터(mHEMT)

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