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¹ÙÀÌÆú¶ó(TR bipolar transistor)
µî·ÏÀÏ : 2015-04-10

Á¢ÇÕÇü Æ®·£Áö½ºÅÍ. ÀüÀÚ(ï³í­)¿Í Á¤°ø(ïáÍî, hole)ÀÇ µÎ °¡Áö ij¸®¾î°¡ Àü·ù¿¡ °ü¿©ÇØ ±× ½Ö¹æÀÇ À̵¿¿¡ ÀÇÁ¸ÇØ µ¿ÀÛÇÏ´Â Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ ¸»ÇÑ´Ù. Æ®·£Áö½ºÅÍ´Â Å©°Ô ¹ÙÀÌÆú¶ó TR°ú Àü°è(ï³Í£)È¿°ú TR(field effect tran sistor : FET)·Î ³ª´µ¸ç¹ÙÀÌÆú¶ó T RÀº MOS(metal oxide semicondu ctor) TR°ú ÇÔ²² ¿À´Ã³¯ ¹ÝµµÃ¼ ÁýÀûȸ·Î »ê¾÷ÀÇ ±Ù°£ÀÌ µÇ´Â Áß¿äÇÑ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ´Ù.

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  • CPO : ±èÀÎÈ£
  • º»»ç&ÃÔ¿µ : ¼­¿ï Á¾·Î±¸ ´ëÇзΠ45 ÀÓÈ£ºôµù 3Ãþ
  • °ü¸®&¹è¼Û : ¼­¿ï Á¾·Î±¸ ´ëÇзΠ45 ÀÓÈ£ºôµù 2Ãþ
  • »ç¾÷ÀÚµî·Ï¹øÈ£ : 101-86-17337
  • ¹ýÀεî·Ï¹øÈ£ : 110111-3292680
  • Åë½ÅÆǸž÷½Å°í : Á¾·ÎÁ¦ 2005-2850È£ 
  • ÃâÆÇ»çµî·Ï¹øÈ£ : Á¦ 300-2005-146È£
  • ºÎ°¡Åë½Å»ç¾÷¹øÈ£ : 018051
  • ¿ø°ÝÆò»ý±³À°½Ã¼³ : Á¦¿ø°Ý-84È£
  • À¥È£½ºÆü­ºñ½ºÁ¦°øÀÚ : ¢ßÇѺñ·Î
  • °í°´¼¾ÅÍ : 1600 - 6690 
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